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第31屆IEEE國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(ISPSD 2019)圓滿舉辦
第31屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)）于5月20日至5月23日在中國(guó)上海圓滿舉辦。本次ISPSD國(guó)際會(huì)議由浙江大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，由中國(guó)電機(jī)工程學(xué)會(huì)技術(shù)主辦，由電氣和電子工程師協(xié)會(huì)、IEEE電子器件學(xué)會(huì)、IEEE電力電子協(xié)會(huì)、IEEE工業(yè)應(yīng)用協(xié)會(huì)、日本電氣工程師協(xié)會(huì)技術(shù)協(xié)辦。會(huì)議主席由浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)盛況教授擔(dān)任。
第31屆ISPSD會(huì)議開(kāi)幕式
在開(kāi)幕式上，ISPSD大會(huì)主席、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)盛況教授首先致歡迎辭，他對(duì)與會(huì)的專(zhuān)家、學(xué)者、同行表示熱烈的歡迎。他指出，自31年前在日本東京召開(kāi)第1屆會(huì)議以來(lái)，ISPSD已成為國(guó)際上電力電子器件行業(yè)發(fā)展、技術(shù)進(jìn)展和創(chuàng)新理念交流共享最重要的平臺(tái)，電力電子器件領(lǐng)域的重大研究成果和重要學(xué)術(shù)進(jìn)展大多也在這個(gè)會(huì)議上首次發(fā)表。他希望通過(guò)此次會(huì)議，專(zhuān)家學(xué)者可以分享與交流最新的研究和發(fā)現(xiàn)，參會(huì)者也借此機(jī)會(huì)結(jié)交志同道合的朋友。他誠(chéng)邀首次參加ISPSD的參會(huì)者以后每年都齊聚ISPSD，成為功率半導(dǎo)體器件集成電路大家庭的一員。
ISPSD大會(huì)主席、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)盛況教授致辭
ISPSD技術(shù)程序委員會(huì)主席、香港科技大學(xué)Kevin Chen教授介紹了本次參會(huì)論文錄取情況，共收到摘要論文299篇，經(jīng)過(guò)領(lǐng)域內(nèi)權(quán)威專(zhuān)家的嚴(yán)格評(píng)審，最終入選128篇論文。
ISPSD技術(shù)程序委員會(huì)主席、香港科技大學(xué)Kevin Chen教授作報(bào)告
第30屆ISPSD大會(huì)主席、美國(guó)伊利諾伊斯理工大學(xué)John Shen宣讀了入選名人堂的兩位教授名單， Alex Lidow教授因?qū)韬?/span>氮化鎵功率器件技術(shù)的卓越貢獻(xiàn)而獲此殊榮，Don Disney教授因其對(duì)功率IC技術(shù)的貢獻(xiàn)以及他在組織ISPSD會(huì)議中的領(lǐng)導(dǎo)作用而獲此殊榮。
第30屆ISPSD大會(huì)主席、美國(guó)伊利諾伊斯理工大學(xué)John Shen宣布入選名人堂名單
ISPSD宣傳主席、多倫多大學(xué)Wai Tung Ng教授宣布日本Denso公司“Deep-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFETs with Ultra Low Ron Qgd”一文獲得第30屆ISPSD會(huì)議******論文獎(jiǎng)（Ohmi Best Paper Award）。
ISPSD宣傳主席、多倫多大學(xué)Wai Tung Ng教授宣布******論文獎(jiǎng)
本屆ISPSD國(guó)際會(huì)議“星光璀璨”，相關(guān)領(lǐng)域的國(guó)內(nèi)外知名專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)界同行齊聚盛會(huì)。會(huì)議吸引了中國(guó)大陸、中國(guó)香港、中國(guó)臺(tái)灣、日本、美國(guó)、韓國(guó)、德國(guó)、意大利、新加坡、瑞士、加拿大、法國(guó)、比利時(shí)、印度等24個(gè)國(guó)家和地區(qū)的600余人參會(huì)。大會(huì)分設(shè)11場(chǎng)專(zhuān)題報(bào)告和2場(chǎng)海報(bào)報(bào)告，主題涵蓋了高壓和低壓器件、寬禁帶碳化硅和氮化鎵器件、功率集成電路、封裝與驅(qū)動(dòng)等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的所有方面。
ISPSD專(zhuān)題報(bào)告會(huì)會(huì)場(chǎng)
5月23日下午，ISPSD2019國(guó)際會(huì)議舉行閉幕式。閉幕式由大會(huì)主席、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)盛況教授主持，他全面總結(jié)了本屆ISPSD國(guó)際會(huì)議的規(guī)模與成果，并宣讀了會(huì)議評(píng)選出的兩位******青年學(xué)者獎(jiǎng)（Charitat Award）得主，來(lái)自加拿大多倫多大學(xué)的Wei Jia Zhang和來(lái)自日本京都大學(xué)的Takuya Maeda斬獲殊榮。
在會(huì)議交接儀式上，下一屆ISPSD主席、英飛凌公司的Oliver Haberlen博士代表主辦方介紹了下屆會(huì)議各項(xiàng)準(zhǔn)備工作的進(jìn)展，并邀請(qǐng)與會(huì)者于2020年蒞臨奧地利維也納共同參加下一次盛會(huì)。ISPSD的會(huì)議大旗由本屆主席盛況教授遞交到下屆主席Oliver Haberlen博士手中，標(biāo)志著此次會(huì)議圓滿結(jié)束，下屆會(huì)議的周期正式開(kāi)始。
第31屆、32屆ISPSD會(huì)旗交接儀式
本次會(huì)議獲與會(huì)者高度評(píng)價(jià)，一致感謝主辦方浙江大學(xué)的悉心操持，并認(rèn)為會(huì)議議題全面而前沿，而上海的人文與自然景觀則使人印象深刻，流連忘返。
IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域最具影響力和規(guī)模最大的頂級(jí)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議，一般在日本、北美和歐洲之間輪換。本屆會(huì)議是ISPSD首次由中國(guó)大陸主辦，得益于中國(guó)電力電子器件和集成電路的高速發(fā)展，標(biāo)志著我國(guó)本行業(yè)的發(fā)展進(jìn)入新紀(jì)元！
